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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件的制造方法”，专利申请号为CN202510193451.X，授权日为2025年5月23日。

专利摘要：本申请涉及一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，于所述衬底内的待处理区域形成致密阻挡层；于所述致密阻挡层上的所述衬底内形成第一栅极氧化层，且所述第一栅极氧化层的底部拐角区域延伸至所述致密阻挡层内，并使所述致密阻挡层的顶部拐角区域圆滑；去除部分所述衬底，使所述第一栅极氧化层暴露；于所述第一栅极氧化层上形成第二栅极氧化层，所述第二栅极氧化层至少延伸覆盖所述第一栅极氧化层两侧的所述衬底。本申请通过于衬底内形成致密阻挡层，阻止了后续注入的氧原子的过度扩散；通过形成底部拐角区域延伸至致密阻挡层内的第一栅极氧化层，并使所述致密阻挡层的顶部拐角区域圆滑，有利于分散电场，减小了半导体器件的漏电流。

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今年以来晶合集成新获得专利授权139个，较去年同期增加了5.3%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

数据来源：天眼查APP

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